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铜靶

铜靶(铜溅射靶材)是半导体、显示、光伏等领域PVD(物理气相沉积)工艺的核心耗材,以高纯度铜或铜合金为原料制成特定形状,通过磁控溅射等方式在基板上沉积铜薄膜,用于导电互连、电极、散热层等功能膜层。 ...

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产品简介

      铜靶(铜溅射靶材)是半导体、显示、光伏等领域PVD(物理气相沉积)工艺的核心耗材,以高纯度铜或铜合金为原料制成特定形状,通过磁控溅射等方式在基板上沉积铜薄膜,用于导电互连、电极、散热层等功能膜层。

      定义:在真空环境中被高能离子轰击,原子 / 离子溅射沉积到基板形成铜薄膜的高纯铜质靶材,是芯片金属化、显示面板电极、光伏吸收层等制备的关键材料。

      核心特性

      1、超高导电性:电阻率约 1.68 μΩ・cm,远低于铝,适配先进制程低阻互连。

      2、优异抗电迁移:减少先进制程中铜原子迁移导致的失效,提升器件寿命。

      3、低氧低杂质:氧含量≤100 ppm,杂质(Fe/Ni)≤5 ppm,避免薄膜缺陷与漏电。

      4、致密均匀:组织致密、晶粒细小,溅射稳定性好,膜层均匀性高。

      5、热导率高:约 401 W/(m・K),适配散热与高温工艺。